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蚀刻组合物、通过使用其蚀刻含金属膜的方法以及通过使用其制造半导体器件的方法图1

蚀刻组合物、通过使用其蚀刻含金属膜的方法以及通过使用其制造半导体器件的方法

2024-01-17 17:148550留言

专利类型

发明专利

申请类型

暂无

申请号

EP23165831

公开号

EP4257659A2

专利类型发明专利

申请类型暂无

申请方名称Choi Byoungki , Oh Jungmin , Kim Daihyun , Ham Cheol , Hwang Kyuyoung , Park Mihyun , Lee Hyosan , Kang Byungjoon , Kim Hwang Suk

发明人暂无

申请号EP23165831

公开号EP4257659A2

国际申请暂无

申请日2023-03-31 00:00:00

主分类号C09K13/00

代理机构Elkington And Fife Llp

代理人Elkington And Fife Llp

公开日2023-10-11 00:00:00

优先权KR1020220168160;KR1020230042150;KR1020220041912

进入国家日暂无

国际公布日暂无

国际申请日暂无

地址129, Samsung-ro Yeongtong-gu Suwon-si, Gyeonggi-do 16677 KR

检索词暂无



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